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SOI (Silicon on Insulator) 基板の表面に予めくぼみを作製し、液体不純物材料を塗布した後に、瞬間的に高温環境下に置くことで、不純物をシリコン構造体の表面ならびに側面に100-nmオーダの厚みで拡散し、ピエゾ抵抗素子を形成する方法を確立した。このピエゾ抵抗素子の3次元的な形成・配置方法を利用して、両持ち梁の片側面にピエゾ抵抗素子を形成した1対の構造をせん断力計測センサ素子として、両持ち梁の表面にピエゾ抵抗素子を形成した1対の構造を圧力計測センサ素子として2×2mm2のチップ構造内に形成し、圧力とせん断力二軸を計測可能なセンサ構造を実現した。
References :
1.Hidetoshi Takahashi, Kiyoshi Matsumoto and Isao Shimoyama, “A piezoresistive multi axis force sensor using three dimensional doping method,”; The 15th IUMRS-International Conference in Asia (IUMRS-ICA 2014), Fukuoka, Japan, Aug. 24-30, 2014.
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